沉字的结构_沉字的结构

深子长鑫存储器技术有限公司的结构已获得授权公告号CN110299324B，名称为“半导体存储器的晶体管结构及其制造方法”，申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提出了一种半导体存储器的晶体管结构及其制造方法。该方法包括：在基板上形成有源区以及与其交叉的字线；在两条字线之间形成接触。快点！

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“陈”字的结构是怎样的？ 2024年3月20日金融行业消息，据国家知识产权局公告，金卡智能集团有限公司已获得一项名为《一种基于字符轮位置判断的计数结构》的授权。专利号：CN109540178B，申请日为2018年12月。专利摘要显示，本发明涉及测量与计数技术领域，具体涉及一种基于电容确定字符轮位置的计数方法。还有什么？

据金融行业消息2024年3月13日消息，根据国家知识产权局公告，三星电子有限公司已获得授权公告号CN110911416B，名称为“集成电路器件及制造方法”，并申请日期是2019 年6 月。月亮。专利摘要显示一种集成电路元件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔以及电荷捕捉图案。字线结构与隔离结构相互交错等。

草书“陈”在第一沟槽中形成晶体管结构。晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅极层以及位于栅极层内的有源结构。沿第二方向延伸的字线形成晶体管结构，覆盖沿第二方向间隔开的多个存储区中的栅极层。本发明简化了水平字线的形成工艺并降低了半导体成本，这将在后面介绍。

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第一导电层与栅极介电层的侧面接触，第二导电层位于相邻的有源柱之间，并且第一导电层位于栅极介电层与栅极介电层之间。在第二导电层之间，第二导电层布置在第一导电层的侧表面周围。本发明实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以提高字线的控制能力。本文来自财经还有什么？

本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：阵列区和围绕阵列区的分隔区；阵列区包括一些沿第一方向延伸的位线和一些沿第二方向延伸的位线。部分字线；隔离区包括与阵列区的至少一侧相邻的引出区，并且字线和/或位线也位于引出区中。隔离区包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构完成。

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据金融行业2024年3月19日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请了公开号CN117727736A的名为《半导体结构及制造方法》，该申请日期是2022 年9 月。专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底、字线以及至少两个介电层。字线设置在基板上，对吗？

据金融行业2023年12月12日消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN113745193B，名称为“字线提取结构及制备方法”。申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法。在基板上形成沿X轴方向延伸的字线；字线沿Y轴方向形成等。

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目标栅极沟槽沿第二方向延伸的侧壁包括由内向外依次层叠的第一子侧壁和第二子侧壁。在目标栅极沟槽中形成围绕第二方向间隔的两个栅极结构的目标半导体层。本发明可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下，至少增加单个存储单元结构中栅极结构和字线结构的厚度。

去除“Chen”三点形成第二沟槽隔离结构和第三沟槽隔离结构；形成两个间隔设置的栅极沟槽，其底面接触衬底的上表面，目标半导体层位于栅极沟槽内并裸露并悬空；在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例在不减少单位体积存储单元数量的情况下，至少可以增加字线结构占用的空间。

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